【技术/产品概述】该产品采用化学气相沉积（CVD）方法，通过优化设备反应腔内的石墨件结构、精准控制外延生长 过程中的关键工艺参数，从而提高衬底基面位错的转化效率及 外延片浓度和厚度均匀性，降低外延片表面缺陷，实现高质量 碳化硅外延片的批量生产，为我国第三代半导体产业的发展提 供优质的材料，促进我国第三代半导体行业的快速发展。
【技术指标/产品性能】（1）表面致命缺陷密度＜0.3cm-2；
（2）外延片内掺杂浓度均匀性＜4%；（3）表面大于 0.3μm
颗粒≤30 个；（4）基面位错密度（BPD）＜0.1cm-2；（5） 厚度均匀性＜1.5%。
【转化形式】合作开发。
【应用场景】可广泛应用在航空航天、新能源汽车、智 能电网、轨道交通等领域。
【所处阶段】批量生产、成熟应用阶段。
【预期效益】新增销售收入 50442.48 万元，新增利润
6555.16 万元，新增税收 2025.04 万元，新增出口创汇 1500 万美元；打破欧美日对我国碳化硅外延材料核心技术及产品的垄 断，提升产品质量，降低价格，提高我国产品在国际上的竞争 力和市场占有率。预计投资回收期 6 年，预期回报率 17%。