成果详情

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【技术/产品概述】该产品采用化学气相沉积(CVD)方法,通过优化设备反应腔内的石墨件结构、精准控制外延生长 过程中的关键工艺参数,从而提高衬底基面位错的转化效率及 外延片浓度和厚度均匀性,降低外延片表面缺陷,实现高质量 碳化硅外延片的批量生产,为我国第三代半导体产业的发展提 供优质的材料,促进我国第三代半导体行业的快速发展。

【技术指标/产品性能】(1)表面致命缺陷密度<0.3cm-2;

(2)外延片内掺杂浓度均匀性<4%;(3)表面大于 0.3μm


颗粒≤30 个;(4)基面位错密度(BPD)<0.1cm-2;(5 厚度均匀性<1.5%。

【转化形式】合作开发。

【应用场景】可广泛应用在航空航天、新能源汽车、智 能电网、轨道交通等领域。

【所处阶段】批量生产、成熟应用阶段。

【预期效益】新增销售收入 50442.48 万元,新增利润

6555.16 万元,新增税收 2025.04 万元,新增出口创汇 1500 万美元;打破欧美日对我国碳化硅外延材料核心技术及产品的垄 断,提升产品质量,降低价格,提高我国产品在国际上的竞争 力和市场占有率。预计投资回收期 6 年,预期回报率 17%。